Según han informado fuentes del centro, los científicos, pertenecientes al Centro de Tecnología Nanofotónica, han desarrollado esta tecnología basada en la integración de dióxido de vanadio y titanato de bario en chips de silicio.
Esta nueva tecnología abre la posibilidad de conseguir velocidades de modulación ultrarrápidas y también un bajo consumo energético. «Hemos conseguido desarrollar un chip que funciona a velocidades de hasta 40 Gigabits/s, cien veces superior al récord alcanzado hasta el momento», señala Pablo Sanchis, investigador del Centro de Tecnología Nanofotónica de la UPV y coordinador del proyecto.
El uso de estos materiales ha permitido miniaturizar, bajar el consumo de potencia y demostrar por primera vez modulaciones de alta velocidad utilizando el mismo efecto que se emplea actualmente en los moduladores comerciales. La principal ventaja del dióxido de vanadio es que permite modificar de forma significativa la señal óptica en distancias del orden del micrómetro.
«Esto supone poder reducir el tamaño de los dispositivos y el consumo de potencia. Esta tecnología podría tener utilidad en aplicaciones de conmutación electroóptica, como por ejemplo, en servidores para poder encaminar la señal óptica de una forma mucho más eficiente», añade.
La característica singular de esta tecnología es su compatibilidad con la fabricación de circuitos integrados CMOS, que abre la posibilidad de fabricación a gran escala y bajo coste. Además, permite su integración con otros componentes fotónicos para permitir funcionalidades mucho más complejas que las que ofrecen actualmente los dispositivos comerciales.
«Los resultados que hemos obtenido podrán tener un gran impacto en el sector de las telecomunicaciones y las comunicaciones de datos», asegura. El desarrollo de esta tecnología constituye el principal resultado de Sitoga, un proyecto que ha sido liderado por investigadores de la UPV y en el que han participado también la spin off de la UPV, Das Photonics y la multinacional IBM.
Junto al NTC, Das Photonics e IBM, han participadoen el proyecto el Centro Nacional de Investigación Científica francés (CNRS), la Universidad Católica de Lovaina (Bélgica) y el Instituto IHP- Innovations for High Performance Microelectronics alemán.
